Geleneksel sabit disk (HDD) teknolojisine alternatif olarak geliştirilen SSD teknolojisinin depolama tahlillerinde kıymetli bir ihtilal yarattığını kabul etmek lazım. Ve artık, depolama ve bellek teknolojilerinde yeni bir ihtilalin eşiğinde olabiliriz.
Endüstriyel Teknoloji Araştırma Enstitüsü (ITRI) ve Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC), birinci olarak 2022 yılında duyurulan ortak bir geliştirme programının sonucu olan bir SOT-MRAM (spin-orbit torque magnetic random-access memory) çipinin oluşturulduğunu duyurdu.
STT-MRAM’in (spin-transfer-tork MRAM) bir alternatifi olarak lanse edilen yeni SOT-MRAM, bellek mimarilerinde bilgi süreç için ve yüksek yoğunluklu son düzey gömülü önbellek uygulamaları için bir alternatif olarak fonksiyon görecek. Üstelik bunu yaparken selefi tarafından tüketilen elektriğinin yalnızca %1’ine muhtaçlık duyacak. Tüm bunlar yetmiyormuş üzere yeni RAM’lerin DRAM’den daha süratli olduğu söyleniyor.
ITRI ve TSMC, 2023 IEE Milletlerarası Elektron Aygıtları Toplantısı’nda (IEDM 2023) bu mikroelektronik bileşen hakkında yeni bir araştırma makalesi yayınladı. ITRI Elektronik ve Optoelektronik Sistem Araştırma Laboratuvarları Genel Müdürü Dr. Shih-Chieh Chang, “Geçen yıl VLSI Teknolojisi ve Devreleri Sempozyumu’nda sunulan ortak makalelerin akabinde, bir SOT-MRAM ünite hücresini daha birlikte geliştirdik. Bu prototip hücre birebir anda düşük güç tüketimiyle yüksek süratte çalışma sağlayarak 10 nanosaniye üzere yüksek suratlara ulaşabiliyor. Yeni bellek devresi bilgi süreçle entegre edildiğinde genel bilgi süreç performansı daha da artırılabilir. İleriye baktığımızda ise bu teknoloji yüksek performanslı bilgi süreç (HPC), yapay zeka, otomotiv çipleri ve daha birçok alanda uygulama potansiyeline sahip.”
Öte yandan bu teknoloji çabucak yarın pazara çıkmak için hazır değil. SOT-MRAM, SRAM’den daha düşük bekleme gücü sunarken, yazma süreçleri için yüksek akımlara gereksinim duyuyor, bu nedenle dinamik güç tüketimi epeyce yüksek. Ayrıyeten, SOT-MRAM hücreleri hala SRAM hücrelerinden daha büyük ve üretilmeleri daha güç. Sonuç olarak, SOT-MRAM teknolojisi umut verici görünse de, yakın vakitte SRAM’in yerini alması pek mümkün görünmüyor. Yeniden de, bellek içi bilgi süreç uygulamaları için SOT-MRAM, artık olmasa da, yakın gelecekte uygun maliyetli olarak üretildiğinde, çok tanınan bir tahlil olacak üzere görünüyor.
